高温电阻测量系统
RMS1000S系列高温半导体材料电阻率测量系统主要用于半导体材料导电性能的评估和测试，该系统采用四线电阻法测量原理进行设计开发，可以在高温、真空气氛的条件下测量半导体材料电阻和电阻率，可以分析被测样品电阻和电阻率随温度、时间变化的曲线。
目前主要针对圆片、方块、长条等测试样品进行测试，广泛用于半导体材料硅(si)、锗(ge)、化合物半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)三元化合物半导体GaAsAl、GaAsP,固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP等的块体材料的电阻率测量。
功能特点
- 针对性质不同的材料开发相应的测试系统
- 多种保护措施，确保测试安全
- 温度范围广：RT～600℃/1000℃
- 可实现惰性、氧化、还原、真空等多种气氛测量
- 样品压力最大0.25N，保证测量过程不损坏样品
- 上电极半球状+下电极平板状设计，可以精确定位测量被测样品某一点
型号 | RMS 1000C | RMS 1000S | RMS 1000I | RMS 1000P |
应用范围 | 导电材料 | 半导体材料 | 绝缘材料 | 半导体薄膜/薄片 |
测试方法 | 四线电阻法 | 半导体材料2线法 | 三环电极法* | 双电测组合直排4探针法 |
电极材料 | 铂金电极,碳化钨探针 | 铂金电极 | 铂金电极 | 碳化钨探针，铂金探针 |
样品规格 | 10mm×10mm×20mm | φ＜20mm,d＜5mm | φ＜25mm,d＜4mm | 薄膜φ15～30mm,d＜4mm |
电阻范围 | 1nΩ～1GΩ | 0.1mΩ～100MΩ | 100Ω～10PΩ | 0.1mΩ～100MΩ |
电 阻 率 | 0.1nΩ.cm～100MΩ.cm | 1mΩ.cm～10MΩ.cm | 1000Ω.cm～1PΩ.cm | 1mΩ.cm～10MΩ.cm |
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