原子层沉积系统
将气相前驱体交替脉冲通入反应室，并在衬底表面发生气/固相化学吸附反应形成薄膜。无论液体、气体还是固体化学物，都可以配置独立，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度小的薄膜层。
- 表面自限制生长，平整度高，均匀性好。
- 逐层吸附沉积，无针孔，致密性高。
- 三维共形：前驱体均匀覆盖衬底材料表面，生成与衬底表面形状一致的薄膜，适用各种复杂三维形状的衬底。
- 附着性高，在化学吸附作用下，前驱体和衬底材料紧密粘附在一起。
- 单原子层逐层沉积，厚度精确可控。
型号 | R-200标准型 | R-200高级型 |
衬底尺寸（φ） | 单片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 | 单片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 |
衬底形貌 | 复杂三维构型、平板、多孔、通孔、沟槽、粉末与颗粒 | |
深宽比 | 2500 | 2500 |
温度 | 50~500℃ | 50~500℃ Plasma：450/650℃ |
温度精度 | ±1℃ | ±1℃ |
衬底传送选件 | v 气动升降（手动装载）； v 磁力机械手装载（Load lock ）
| v 气动升降（手动装载） v 磁力机械手装载（Load lock ） v 半自动装载； v 全自动装载 |
前驱体 | v 液体、固体、气体、臭氧源 v 6个前驱体源，4个独立源管
| v 液体、固体、气体、臭氧源、等离子体（最多4路） v 12个前驱体源，6个独立源管，（选择Plasma时，共7根独立源管） |
均匀性（1σ） | 6“和8”晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据 - AI2O3 (batch)：0.13% - TiO2：0.28% - HfO2：0.47% - SiO2 (batch)：0.77% - ZnO：0.94% - Ta2O5：1.0% - TiN：1.1% - CeO2：1.52% - Pt：3.41% | |
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