磁控溅射镀膜系统-MSR-500Plus
可用于制备金属膜、半导体膜、陶瓷膜、介质膜。在金属或非金属表面通过直流溅射Au、Ag、Cr、Al、Ti、Mg等金属，射频溅射TiO2、ZnO、Al2O3等介质薄膜，既可进行单质金属溅射也可进行反应溅射和共溅射。
系统设计
MSR-500Plus大型磁控溅射镀膜系统由溅射室、磁控溅射靶、DC电源、RF电源、脉冲偏压电源、基片载台、温控系统、真空系统、气路系统、PLC控制系统等组成，机柜一体式设计，可集成手套箱。此外，我们也提供小型桌面式系统，经济适用，节省用户空间。
技术参数
溅射室 | 立式前开门设计，带观察窗。尺寸可定制，SUS304不锈钢。 |
真空系统 | v 分子泵+旋片泵+高真空阀+数显复合真空计 v 极限真空：5×10-5Pa（真空系统选配，本参数只做参考） v 系统漏率：5×10-9Pa.m3/s v 真空恢复：常压至5×10-4 Pa，小于30分钟 |
基片载台 | 转速0-50rpm，负偏压设计 |
样品加载 | 手动或Loadlock加载 |
温度 | 500℃±1℃，PID控温，加热带屏蔽 |
溅射源 | v 靶材尺寸：4’’/6’’/8’’，角度可调，配气动挡板 v 溅射方向：向上或向下溅射 v DC：1000W，RF：300/500/600W v 靶距调整：80~120mm |
工作气路 | 2-4路MFC，可混气，可充入Ar、O2、N2等，气体流量100/50/20 SCCM。 |
镀膜均匀性 | ±5% |
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